首页> 中国专利> 一种用于低功耗高可靠性相变存储器的掺氧纳米薄膜材料及其制备和应用

一种用于低功耗高可靠性相变存储器的掺氧纳米薄膜材料及其制备和应用

摘要

本发明涉及一种用于低功耗高可靠性的掺氧Sb

著录项

  • 公开/公告号CN102800807B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 同济大学;

    申请/专利号CN201210302541.0

  • 发明设计人 翟继卫;胡益丰;孙明成;

    申请日2012-08-23

  • 分类号

  • 代理机构上海光华专利事务所;

  • 代理人许亦琳

  • 地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号

  • 入库时间 2022-08-23 09:21:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 45/00 授权公告日:20140917 终止日期:20170823 申请日:20120823

    专利权的终止

  • 2014-09-17

    授权

    授权

  • 2014-09-17

    授权

    授权

  • 2013-01-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20120823

    实质审查的生效

  • 2013-01-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20120823

    实质审查的生效

  • 2012-11-28

    公开

    公开

  • 2012-11-28

    公开

    公开

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