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In-situ passivation methods to improve performance of polysilicon diode

机译：原位钝化方法以提高多晶硅二极管的性能

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摘要

A nonvolatile memory cell including a storage element in series with a diode steering element. At least one interface of the diode steering element is passivated.

机译：一种非易失性存储单元，包括与二极管操纵元件串联的存储元件。二极管操纵元件的至少一个接口被钝化。

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公开/公告号US8450181B2

专利类型
公开/公告日2013-05-28

原文格式PDF
申请/专利权人 XIYING CHEN;KUN HOU;CHUANBIN PAN;ABHIJIT BANDYOPADHYAY;YUNG-TIN CHEN;
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申请/专利号US20100654927
发明设计人 CHUANBIN PAN;ABHIJIT BANDYOPADHYAY;KUN HOU;XIYING CHEN;YUNG-TIN CHEN;
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申请日2010-01-08
分类号H01L29/68;H01L21/02;H01L21/329;
国家 US
入库时间 2022-08-21 16:44:32

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