首页> 外国专利> Scalable light-induced metallic to semiconducting conversion of carbon nanotubes and applications to field-effect transistor devices

Scalable light-induced metallic to semiconducting conversion of carbon nanotubes and applications to field-effect transistor devices

机译:碳纳米管的可扩展的光诱导金属到半导体的转换及其在场效应晶体管器件中的应用

摘要

Among others, techniques are described for forming nanotubes. In one aspect, a method includes forming a base layer of a transition metal on a substrate. The method also includes heating the substrate with the base layer in a mixture of gases to grow nanotubes on the base layer.
机译:其中,描述了用于形成纳米管的技术。在一个方面,一种方法包括在衬底上形成过渡金属的基层。该方法还包括在气体混合物中加热具有基层的基板,以在基层上生长纳米管。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号