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WAFER DRYING APPARATUS AND A WAFER DRYING METHOD USING THE SAME, CAPABLE OF REDUCING WATERMARK GENERATION

机译:晶片干燥装置和使用该晶片干燥装置的晶片干燥方法,能够减少水印的产生

摘要

PURPOSE: A wafer drying apparatus and a wafer drying method using the same are provided to prevent leaning phenomenon of a micro pattern, by drying a wafer using a deionized CO2 water.;CONSTITUTION: A chamber includes a cleaning part and a drying part. An arrangement (108) is formed in the chamber. The arrangement settles a wafer. A deionized CO2 water supply nozzle part (110) supplies deionized CO2 water to the inside of the arrangement. An isopropyl alcohol (IPA) and N2 mixed gas supplying nozzle part (114) supplies IPA into the inside of the chamber.;COPYRIGHT KIPO 2013;[Reference numerals] (AA) Deionized CO2 water
机译:目的:提供一种晶片干燥设备和使用该晶片干燥设备的方法,以通过使用去离子CO2水干燥晶片来防止微图案的倾斜现象。;组成:腔室包括清洁部分和干燥部分。在腔室中形成装置(108)。该装置安置晶片。去离子CO 2供水喷嘴部(110)将去离子CO 2水供应到装置的内部。异丙醇(IPA)和N2混合气体供给喷嘴部分(114)将IPA供给腔室内。; COPYRIGHT KIPO 2013; [参考数字](AA)去离子CO2水

著录项

  • 公开/公告号KR20130078134A

    专利类型

  • 公开/公告日2013-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SK HYNIX INC.;

    申请/专利号KR20110146911

  • 发明设计人 LEE YONG SEOK;

    申请日2011-12-30

  • 分类号H01L21/302;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 16:26:43

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