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Method for preparing Vanadium dioxides having single metal-insulator transition phase boundary

机译:具有单一金属-绝缘体过渡相边界的二氧化钒的制备方法

摘要

the present invention is a single metal-insulator phase transition boundaries to have a metal -insulator transition (Metal-Insulator Transition :. MIT) by having a sharp characteristic occurring in a very short temperature interval , a method for producing the new vanadium dioxide that can be useful in various application devices produced ;
机译:本发明是通过在非常短的温度间隔内出现尖锐的特性而具有金属-绝缘体转变(金属-绝缘体转变:.MIT)的单一金属-绝缘体相变边界,一种生产新的二氧化钒的方法,可以用于生产的各种应用装置;

著录项

  • 公开/公告号KR101314837B1

    专利类型

  • 公开/公告日2013-10-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20110036322

  • 发明设计人 주홍렬;

    申请日2011-04-19

  • 分类号C01G31/02;H01B1/08;H01B3/10;H01L21/335;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 16:24:22

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