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Polycrystalline body manufacturing apparatus and polycrystalline body manufacturing method

机译:多晶体制造设备和多晶体制造方法

摘要

PPROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production device for obtaining a high purity polycrystal of a group 14 element in the periodic table such as silicon at high speed. PSOLUTION: The polycrystal production device includes: a reaction vessel 10 for forming the supercritical fluid state of the halide of a group 14 element in the periodic table introduced to the inside; electrodes 11, 12 provided at the inside of the reaction vessel 10 and performing plasma discharge; and a seed crystal 30 which is provided at the inside of the body of the reaction vessel 10 and allows silicon decomposed by plasma discharge to be deposited on the surface. PCOPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
机译:<要解决的问题:提供一种用于高速获得周期表中第14族元素例如硅的高纯度多晶的生产装置。解决方案:多晶生产装置包括:反应容器10,用于形成引入到内部的周期表中的14族元素的卤化物的超临界流体状态;电极11、12设置在反应容器10的内部并进行等离子体放电。籽晶30设置在反应容器10的内部,并允许通过等离子体放电分解的硅沉积在表面上。

版权:(C)2010,日本特许厅&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP5502294B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社 シリコンプラス;

    申请/专利号JP20080204600

  • 发明设计人 渡辺 敏行;渡辺 栄造;

    申请日2008-08-07

  • 分类号C23C16/24;C01B33/035;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:13:50

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