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Internal power supply voltage generator and its control method and semiconductor memory device and system including the same,

机译:内部电源电压发生器及其控制方法以及包括该内部电源电压发生器的半导体存储装置和系统,

摘要

An internal voltage of a semiconductor memory device is controlled, where the internal voltage is set according to a reference voltage. The reference voltage is controlled according to first control data to increase the internal voltage to be higher than a target voltage in a power-up operation, and second control data is read. The reference voltage is then controlled according to the second control data to decrease the internal voltage to the target voltage.
机译:控制半导体存储器件的内部电压,其中根据参考电压设置内部电压。根据第一控制数据来控制参考电压,以在加电操作中将内部电压增加到高于目标电压,并且读取第二控制数据。然后,根据第二控制数据控制参考电压,以将内部电压降低至目标电压。

著录项

  • 公开/公告号JP5390802B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利号JP20080187482

  • 发明设计人 邊 大 錫;

    申请日2008-07-18

  • 分类号G11C16/06;G11C11/4074;G11C16/02;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:13:20

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