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Photomask having patterns for EUV light and DUV light

机译:具有用于EUV光和DUV光的图案的光掩模

摘要

A photomask, including a photomask substrate, a reflective layer on a front surface of a first region of the photomask substrate, the reflective layer being configured to reflect an EUV light, an absorbing pattern on the reflective layer, the absorbing pattern being configured to absorb the EUV light, and an opaque pattern directly on a front surface of a second region of the photomask substrate, the opaque pattern being configured to block a DUV light.
机译:一种光掩模,包括光掩模基板,在该光掩模基板的第一区域的前表面上的反射层,该反射层被配置为反射EUV光,该反射层上的吸收图案,该吸收图案被配置为吸收所述EUV光和不透明图案直接在所述光掩模基板的第二区域的前表面上,所述不透明图案被配置为阻挡DUV光。

著录项

  • 公开/公告号US8859169B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-10-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号US201313757917

  • 发明设计人 SEUNG-YOON LEE;

    申请日2013-02-04

  • 分类号G03F1/24;G03F1/22;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:06:26

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