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Photomasks Having Patterns for EUV light and Patterns for DUV light

机译:具有用于EUV光的图案和用于DUV光的图案的光掩模

摘要

A photomask substrate, a reflective layer formed on a front surface of the first area of the photomask substrate and reflecting EUV light, an absorption pattern formed on the reflective layer and absorbing the EUV light, A photomask is proposed that includes an opaque pattern formed directly on the front surface and blocking DUV light.
机译:光掩模基板,形成在光掩模基板的第一区域的前表面上并反射EUV光的反射层,形成在反射层上并吸收EUV光的吸收图案。提出了一种光掩模,其包括直接形成的不透明图案。并阻挡DUV光线。

著录项

  • 公开/公告号KR101830327B1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-02-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 삼성전자주식회사;

    申请/专利号KR20120024095

  • 发明设计人 이승윤;

    申请日2012-03-08

  • 分类号G03F1/24;G03F1/52;G03F1/58;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 12:38:23

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