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PITCH QUARTERING TO CREATE PITCH HALVED TRENCHES AND PITCH HALVED AIR GAPS

机译:变桨距以创建变桨距的沟槽和变桨距的空气间隙

摘要

A silicon structure is fabricated determining a pattern for wire trenches and air gaps. The wire trenches are created, and certain trenches are used as air gaps. The remaining wire trenches are used for metallization of inter connecting wires.
机译:制造硅结构,以确定导线沟槽和气隙的图案。创建了线槽,并将某些槽用作气隙。其余的导线槽用于互连导线的金属化。

著录项

  • 公开/公告号US2014091466A1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MARC VAN VEENHUIZEN;

    申请/专利号US201213630712

  • 发明设计人 MARC VAN VEENHUIZEN;

    申请日2012-09-28

  • 分类号H01L21/768;H01L23/48;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:06:01

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