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DISLOCATION AND STRESS MANAGEMENT BY MASK LESS PROCESSES USING SUBSTRATE PATTERNING AND METHODS FOR DEVICE FABRICATION

机译:借助基质修补和设备制造方法通过面膜较少过程进行位移和应力管理

摘要

Structures and methods for producing active layer stacks of lattice matched lattice mismatched and thermally mismatched semiconductor materials with low threading dislocation densities no layer cracking and minimized wafer bowing by using epitaxial growth onto elevated substrate regions in a mask less process.
机译:通过在无掩模工艺中使用外延生长到升高的衬底区域上来生产具有低的螺纹位错密度的晶格匹配的晶格失配和热失配的半导体材料的有源层堆叠的结构和方法,不会出现层破裂并将晶片弯曲最小化。

著录项

  • 公开/公告号IN2012CN09834A

    专利类型

  • 公开/公告日2014-04-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号IN9834/CHENP/2012

  • 发明设计人 MIGLIO LEONIDA;VON KÄNEL HANS;

    申请日2012-11-21

  • 分类号H01L21/02;

  • 国家 IN

  • 入库时间 2022-08-21 15:57:43

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