首页> 外国专利> Dislocation and stress management by mask-less processes using substrate patterning and methods for device fabrication

Dislocation and stress management by mask-less processes using substrate patterning and methods for device fabrication

机译:使用衬底图案的无掩模工艺进行的位错和应力管理以及器件制造方法

摘要

Structures and methods for producing active layer stacks of lattice matched, lattice mismatched and thermally mismatched semiconductor materials, with low threading dislocation densities, no layer cracking and minimized wafer bowing, by using epitaxial growth onto elevated substrate regions in a mask-less process.
机译:通过在无掩膜工艺中通过外延生长到升高的衬底区域上来生产具有低螺纹位错密度,无层破裂和最小化的晶片弯曲的,晶格匹配,晶格失配和热失配的半导体材料有源层堆叠的结构和方法。

著录项

  • 公开/公告号AU2011247021A2

    专利类型

  • 公开/公告日2013-01-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 VON KAENEL HANS;MIGLIO LEONIDA;

    申请/专利号AU20110247021

  • 发明设计人 VON KAENEL HANS;MIGLIO LEONIDA;

    申请日2011-04-26

  • 分类号H01L21/02;

  • 国家 AU

  • 入库时间 2022-08-21 16:37:11

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号