机译:半导体基质,制造半导体基质的方法,用于半导体生长的基质,用于生产半导体生长的基质的方法,半导体元件,发光元件,显示面板,电子元件,太阳能电池
公开/公告号SG10201404692XA
专利类型
公开/公告日2014-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 THE UNIVERSITY OF TOKYO;TOKAI CARBON CO. LTD.;NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCEAND TECHNOLOGY;
申请/专利号SGX10201404692
申请日2010-09-07
分类号
国家 SG
入库时间 2022-08-21 15:55:47