机译:半导体基质,制造半导体基质的方法,用于半导体生长的基质,用于生产半导体生长的基质的方法,半导体元件,发光元件,显示面板,电子元件,太阳能电池
公开/公告号EP2476787A4
专利类型
公开/公告日2014-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 THE UNIVERSITY OF TOKYO;TOKAI CARBON CO. LTD.;NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCEAND TECHNOLOGY;
申请/专利号EP20100813840
申请日2010-09-07
分类号C30B29/38;C23C14/06;C23C14/14;C30B29/06;H01L21/203;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 15:07:32