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THIN FILM SOLAR CELL USING SINGLE JUNCTION Cu(In,Ga)Se2 AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

机译:单结Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳能电池及其制造方法

摘要

Provided is a single junction type CIGS thin film solar cell, which includes a CIGS light absorption layer manufactured using a single junction. The single junction type CIGS thin film solar cell includes a substrate, a back contact deposited on the substrate, a light absorption layer deposited on the back contact and including a P type CIGS layer and an N type CIGS layer coupled to the P type CIGS layer using a single junction, and a reflection prevention film deposited on the light absorption layer.
机译:提供一种单结型CIGS薄膜太阳能电池,其包括使用单结制造的CIGS光吸收层。单结型CIGS薄膜太阳能电池包括基板,沉积在基板上的背接触件,沉积在背接触件上并包括P型CIGS层和耦合到P型CIGS层的N型CIGS层的光吸收层使用单个结,并且在光吸收层上沉积防反射膜。

著录项

  • 公开/公告号KR101426821B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20100108880

  • 发明设计人 정용덕;한원석;

    申请日2010-11-03

  • 分类号H01L31/0445;H01L31/068;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:40:23

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