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Method for collective manufacturing of LEDs, involves leveling opening of insulating material layer with p-type layer or n-type layer, and forming p or n-type electrical contact stud on exposed part of p-type layer or n-type layer

机译:集体制造LED的方法,包括使绝缘材料层与p型层或n型层平整开口,并在p型层或n型层的暴露部分上形成p或n型电接触柱。

摘要

The method involves forming a set of elementary structures (150) on a face of a substrate (100), where the structures are spaced from each other on the substrate by trenches (160). An insulating material layer (136) is deposited on the structures. An opening of the insulating material layer is leveled with a p-type layer (134) or an n-type layer (132) of the structures to expose a part of the p-type layer or the n-type layer through the insulating material layer. A p or n-type electrical contact stud (138) is formed on the exposed part of the p-type layer or the n-type layer. An independent claim is also included for a structure for collective manufacturing of LEDs.
机译:该方法包括在衬底(100)的表面上形成一组基本结构(150),其中该结构在衬底上通过沟槽(160)彼此间隔开。绝缘材料层(136)沉积在结构上。绝缘材料层的开口与结构的p型层(134)或n型层(132)齐平,以通过绝缘材料暴露p型层或n型层的一部分。层。在p型层或n型层的暴露部分上形成有p型或n型电接触柱138。还包括用于LED集体制造的结构的独立权利要求。

著录项

  • 公开/公告号FR2992465A1

    专利类型

  • 公开/公告日2013-12-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SOITEC;

    申请/专利号FR20120055931

  • 发明设计人 GUENARD PASCAL;

    申请日2012-06-22

  • 分类号H01L21/328;H01L33/02;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 15:36:37

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