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III-V substrate materials having specific crystallographic characteristics and methods of making

机译:具有特定晶体学特征的III-V衬底材料及其制造方法

摘要

The substrate includes a body comprising a Group III-V material and having a top surface, the body includes an offcut angle defined between the top surface and the crystallographic reference plane, and the body is further off to about 0.6? Includes cut angle variation.
机译:衬底包括主体,该主体包括III-V族材料并具有顶表面,该主体包括在顶表面和晶体学参考平面之间限定的切角,并且该主体进一步偏离大约0.6λ。包括切角变化。

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