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cobalt-based film forming method, a cobalt-based film-forming material, and novel compounds

机译:钴基成膜方法,钴基成膜材料和新型化合物

摘要

Low melting point, and is liquid at 40 ℃ before and after small cause solidification occlusion in the middle pipe, it can make stable supply of raw materials, formation of high-quality cobalt film A that provide easy techniques bis (N, N'- diisopropylcarbodiimide propionic amidinate) cobalt is used.
机译:熔点低,并且在40℃前后呈液态,在中间管道中引起小的凝固堵塞之前和之后,它可以使原料稳定供应,形成高质量的钴膜A,从而提供了简便的工艺bis(N,N'-使用二异丙基碳二亚胺丙酰胺(钴)。

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