首页> 外国专利> LATERAL ETCH STOP FOR NEMS RELEASE ETCH FOR HIGH DENSITY NEMS/CMOS MONOLITHIC INTEGRATION

LATERAL ETCH STOP FOR NEMS RELEASE ETCH FOR HIGH DENSITY NEMS/CMOS MONOLITHIC INTEGRATION

机译:NEMS的横向蚀刻停止,用于高密度NEMS / CMOS单片集成的释放蚀刻

摘要

Structure and method for fabricating a barrier layer that separates an electromechanical device and a CMOS device on a substrate. An example structure includes a protective layer encapsulating the electromechanical device, where the barrier layer may withstand an etch process capable of removing the protective layer, but not the barrier layer. The substrate may be silicon-on-insulator or a multilayer wafer substrate. The electromechanical device may be a microelectromechanical system (MEMS) or a nanoelectromechanical system (NEMS).
机译:用于制造将机电装置和CMOS装置分开的阻挡层的结构和方法。示例结构包括封装机电装置的保护层,其中,阻挡层可以承受能够去除保护层但不能去除阻挡层的蚀刻工艺。衬底可以是绝缘体上硅或多层晶片衬底。机电装置可以是微机电系统(MEMS)或纳米机电系统(NEMS)。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号