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Group III nitride semiconductor crystal, group III nitride semiconductor substrate, group III nitride semiconductor freestanding substrate, nitride semiconductor device, and rectifier diode

机译：III族氮化物半导体晶体，III族氮化物半导体衬底，III族氮化物半导体独立衬底，氮化物半导体器件和整流二极管

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摘要

There is provided a group III nitride semiconductor crystal, containing a donor-type impurity and having a hydrogen concentration of 2.0E+16 cm⁻³or less in a crystal.

机译：提供了一种III族氮化物半导体晶体，该III族氮化物半导体晶体包含施主型杂质并且在晶体中的氢浓度为2.0E + 16cm ^{-3 或更小。}

著录项

公开/公告号US9013026B2

专利类型
公开/公告日2015-04-21

原文格式PDF
申请/专利权人 HITACHI METALS LTD.;
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申请/专利号US201314020207
发明设计人 TADAYOSHI TSUCHIYA;NAOKI KANEDA;
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申请日2013-09-06
分类号H01L29/20;H01L21/02;H01L29/66;H01L29/872;
国家 US
入库时间 2022-08-21 15:19:08

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