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Polycrystalline silicon thick films for photovoltaic devices or the like, and methods of making same

机译:用于光伏器件等的多晶硅厚膜及其制造方法

摘要

A method of manufacturing a polycrystalline silicon film includes: depositing a catalyst layer including nickel and depositing nickel nanoparticles on a substrate; exposing the catalyst layer and the nanoparticles to at least silane gas; and heat treating the substrate coated with the catalyst layer and the nanoparticles during at least part of the exposing to silane gas in growing a silicon based film on the substrate.
机译:制造多晶硅膜的方法包括:在基板上沉积包括镍的催化剂层,以及在基板上沉积镍纳米颗粒;以及在基板上沉积镍纳米颗粒。使催化剂层和纳米颗粒至少暴露于硅烷气体中;在至少一部分暴露于硅烷气体的过程中,对涂覆有催化剂层和纳米颗粒的基材进行热处理,以在基材上生长硅基膜。

著录项

  • 公开/公告号US8946062B2

    专利类型

  • 公开/公告日2015-02-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GUARDIAN INDUSTRIES CORP.;

    申请/专利号US201213682786

  • 发明设计人 VIJAYEN S. VEERASAMY;MARTIN D. BRACAMONTE;

    申请日2012-11-21

  • 分类号H01L21/02;H01L29/04;C23C16/02;C30B25/18;C30B29/06;H01L31/0368;H01L31/18;C23C16/24;C23C16/44;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:17:17

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