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POLYCRYSTALLINE SILICON THICK FILMS FOR PHOTOVOLTAIC DEVICES OR THE LIKE, AND METHODS OF MAKING SAME

机译:用于光伏器件或类似器件的多晶硅厚膜及其制造方法

摘要

A method of manufacturing a polycrystalline silicon film includes: depositing a catalyst layer including nickel and depositing nickel nanoparticles on a substrate; exposing the catalyst layer and the nanoparticles to at least silane gas; and heat treating the substrate coated with the catalyst layer and the nanoparticles during at least part of the exposing to silane gas in growing a silicon based film on the substrate.
机译:制造多晶硅膜的方法包括:在基板上沉积包括镍的催化剂层,以及在基板上沉积镍纳米颗粒;以及在基板上沉积镍纳米颗粒。使催化剂层和纳米颗粒至少暴露于硅烷气体中;在至少一部分暴露于硅烷气体的过程中,对涂覆有催化剂层和纳米颗粒的基材进行热处理,以在基材上生长硅基膜。

著录项

  • 公开/公告号EP2922988A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-09-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GUARDIAN INDUSTRIES CORP.;

    申请/专利号EP20130799715

  • 发明设计人 VEERASAMY VIJAYEN S.;BRACAMONTE MARTIN D.;

    申请日2013-11-14

  • 分类号C30B25/18;C23C16/02;C30B29/06;H01L21/02;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 15:01:56

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