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A VERTICAL HALL EFFECT ELEMENT WITH STRUCTURES TO IMPROVE SENSITIVITY

机译:具有改善灵敏度的结构的垂直霍尔效应单元

摘要

A vertical Hall Effect element includes one or more of: a low voltage P-well region disposed at a position between pickups of the vertical Hall Effect element, Light-N regions disposed under the pickups, a pre-epi implant region, or two epi regions to result in an improved sensitivity of the vertical Hall Effect element. A method results in the vertical Hall Effect element having the improved sensitivity.
机译:垂直霍尔效应元件包括以下一项或多项:低压P阱区,放置在垂直霍尔效应元件的拾波器之间的位置; Light-N区域,放置在拾波器下方;前Epi注入区域,或两个Epi区域以提高垂直霍尔效应元件的灵敏度。一种方法导致垂直霍尔效应元件具有改善的灵敏度。

著录项

  • 公开/公告号EP2962336A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ALLEGRO MICROSYSTEMS LLC;

    申请/专利号EP20140702402

  • 发明设计人 WANG YIGONG;COOPER RICHARD B.;

    申请日2014-01-16

  • 分类号H01L43/06;G01R33/07;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 14:47:57

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