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SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOGIC REGION AND ANALOG REGION

机译:具有逻辑区域和模拟区域的半导体结构

摘要

A method can include epitaxially growing epitaxial growth material within a logic region of a semiconductor structure. A method can include performing simultaneously with the growing epitaxial growth within an analog region of the semiconductor structure. A method can include performing epitaxial growth to form an epitaxial growth formation that defines an electrode of an analog device within an analog region of the semiconductor structure, wherein the performing includes using a first surface and a second surface as seed surfaces.
机译:一种方法可以包括在半导体结构的逻辑区域内外延生长外延生长材料。一种方法可以包括在半导体结构的模拟区域内与生长外延生长同时进行。一种方法可以包括执行外延生长以形成在半导体结构的模拟区域内限定模拟器件的电极的外延生长形成,其中执行包括使用第一表面和第二表面作为种子表面。

著录项

  • 公开/公告号US2016322384A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-11-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GLOBALFOUNDRIES INC.;

    申请/专利号US201514700748

  • 发明设计人 HUI ZANG;XUSHENG WU;BINGWU LIU;

    申请日2015-04-30

  • 分类号H01L27/12;H01L29/66;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/73;H01L29/08;H01L21/84;H01L21/02;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:37:47

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