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COMPUTER IMPLEMENTED METHOD FOR CALCULATING A CHARGE DENSITY AT A GATE INTERFACE OF A DOUBLE GATE TRANSISTOR

机译:计算双栅晶体管门界面电荷密度的计算机实现方法

摘要

A computer implemented method for calculating a charge density q1 of a first gate of a double gate transistor comprising a thin body with a first and a second gate interface, the method including determining, using a physical processor, an initial estimate q1,init of the charge density of the first gate; performing, using the physical processor, at least two basic corrections of the initial estimate based on a Taylor development of a function fzero(q1) able to be nullified by a correct value of the charge density q1 of the first gate.
机译:一种用于计算双栅极晶体管的第一栅极的电荷密度q 1 的计算机实现的方法,该双栅极晶体管包括具有第一栅极接口和第二栅极接口的薄体,该方法包括使用物理处理器确定:第一栅极的电荷密度的初始估计q 1,init ;使用物理处理器基于函数f zero (q 1 )的泰勒展开式执行初始估计的至少两个基本校正,该校正可以被a抵消第一个栅极的电荷密度q 1 的正确值。

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