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BIAS CIRCUIT FOR STACKED HALL DEVICES

机译:堆叠式厅堂设备的偏置电路

摘要

Embodiments relate to stacks of Hall effect structures, in which the potential at the contacts of each Hall effect structure throughout a stack of Hall effect structures changes monotonically. An output associated with the Hall effect structure in each layer of the stack can be compared against the output of a counterpart Hall effect structure in another stack to ascertain the strength of an incident magnetic field.
机译:实施例涉及霍尔效应结构的堆叠,其中在整个霍尔效应结构的堆叠中,每个霍尔效应结构的触点处的电势单调变化。可将与堆叠的每一层中的霍尔效应结构相关的输出与另一堆叠中的对应霍尔效应结构的输出进行比较,以确定入射磁场的强度。

著录项

  • 公开/公告号US2016124055A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-05-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号US201414533692

  • 发明设计人 UDO AUSSERLECHNER;

    申请日2014-11-05

  • 分类号G01R33/07;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:34:36

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