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MULTI-POLYGON CONSTRAINT DECOMPOSITION TECHNIQUES FOR USE IN DOUBLE PATTERNING APPLICATIONS

机译:用于双图案应用的多聚酯约束分解技术

摘要

One illustrative method disclosed herein involves, among other things, decomposing an initial circuit layout into first and second mask patterns, for the first mask pattern, identifying a first four-polygon pattern in the first mask pattern that violates a multi-polygon constraint rule, wherein the first four-polygon pattern comprises four polygons positioned side-by-side in the first mask pattern, and recoloring one or two of the polygons in the first four-polygon pattern in the first mask pattern to the second mask pattern to eliminate the first four-polygon pattern from the first mask pattern without introducing any design rule violations in the initial circuit layout.
机译:本文公开的一种说明性方法包括,除其他事项外,将初始电路布局分解为第一和第二掩模图案,对于第一掩模图案,在第一掩模图案中识别违反多多边形约束规则的第一四多边形图案,其中,第一四多边形图案包括在第一掩模图案中并排放置的四个多边形,并且将第一掩模图案中的第一四多边形图案中的一个或两个多边形重新着色为第二掩模图案,以消除从第一个掩模图案开始的第一个四多边形图案,而不会在初始电路布局中引入任何违反设计规则的情况。

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