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Recessed termination structures and methods of fabricating electronic devices including recessed termination structures

机译:凹入式终端结构和包括凹入式终端结构的电子设备的制造方法

摘要

An electronic device includes a drift region, a Schottky contact on a surface of the drift region, and an edge termination structure in the drift region adjacent the Schottky contact. The edge termination structure includes a recessed region that is recessed from the surface of the drift region by a distance d that may be about 0.5 microns.
机译:电子设备包括漂移区,在漂移区的表面上的肖特基接触,以及在漂移区中与肖特基接触相邻的边缘终止结构。边缘终止结构包括凹入区域,该凹入区域从漂移区域的表面凹入的距离d可以为大约0.5微米。

著录项

  • 公开/公告号US9318623B2

    专利类型

  • 公开/公告日2016-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 QINGCHUN ZHANG;JASON HENNING;

    申请/专利号US201113080126

  • 发明设计人 QINGCHUN ZHANG;JASON HENNING;

    申请日2011-04-05

  • 分类号H01L29/872;H01L29/06;H01L29/66;H01L29/16;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:31:36

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