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Bonded stacked wafers and methods of electroplating bonded stacked wafers

机译:键合的堆叠晶片和电镀键合的堆叠晶片的方法

摘要

A method including: providing a first wafer stack; applying a first bonding layer on the first wafer stack; providing a second wafer stack, where the second wafer stack includes vias; and applying a second bonding layer to the second wafer stack. The vias extend through the second wafer stack and to the second bonding layer. The second bonding layer is bonded to the first bonding layer. A seed layer is applied on a side of the second wafer stack opposite the second bonding layer such that a material of the seed layer (i) contacts the vias, and (ii) extends over and past ends of the second wafer stack and onto the first bonding layer.
机译:一种方法,包括:提供第一晶片堆叠;以及在第一晶片堆叠上施加第一结合层;提供第二晶片堆叠,其中第二晶片堆叠包括通孔;将第二键合层施加到第二晶片堆叠上。通孔延伸穿过第二晶片堆叠并到达第二结合层。第二结合层结合到第一结合层。将种子层施加在第二晶片堆叠的与第二接合层相对的一侧上,使得种子层的材料(i)接触通孔,并且(ii)在第二晶片堆叠的端部上方和上方延伸并延伸到晶片上。第一粘结层。

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