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Single pin control of bipolar junction transistor (BJT)-based power stage

机译:基于双极结晶体管(BJT)的功率级的单引脚控制

摘要

A power stage for light emitting diode (LED)-based light bulbs may include a bipolar junction transistor (BJT). The base of BJT switch may be biased externally and the operation of the BJT may be through a single pin to the emitter of the BJT. A controller integrated circuit (IC) may control the power stage through the main BJT's emitter pin in an emitter-controlled BJT-based power stage. The emitter-controlled BJT-based power stage may replace the conventional buck-boost power stage topology. For example, the controller may activate and deactivate a switch coupling the BJT's emitter to ground. A power supply for the controller IC may be charged from a reverse recovery of charge from the BJT, and the reverse recovery controlled by the controller IC.
机译:用于基于发光二极管(LED)的灯泡的功率级可以包括双极结型晶体管(BJT)。 BJT开关的基极可以从外部偏置,BJT的操作可以通过单个引脚到达BJT的发射极。控制器集成电路(IC)可以通过基于BJT的发射极控制的功率级中的主BJ​​T的发射极引脚来控制功率级。发射器控制的基于BJT的功率级可以替代传统的降压-升压功率级拓扑。例如,控制器可以激活和去激活将BJT的发射极接地的开关。控制器IC的电源可以从来自BJT的电荷的反向恢复中充电,并且该反向恢复由控制器IC控制。

著录项

  • 公开/公告号US9253833B2

    专利类型

  • 公开/公告日2016-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CIRRUS LOGIC INC.;

    申请/专利号US201414280474

  • 申请日2014-05-16

  • 分类号H05B37/02;H05B33/08;H02M3/158;H02M1;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:28:03

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