首页> 外国专利> SOLAR CELL HAVING DOPED SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION CONTACTS AND METHOD FOR ITS FABRICATION

SOLAR CELL HAVING DOPED SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION CONTACTS AND METHOD FOR ITS FABRICATION

机译:具有掺杂的半导体异质结接触的太阳能电池及其制造方法

摘要

A silicon solar cell has doped amorphous silicon contacts formed on a tunnel silicon oxide layer on a surface of a silicon substrate. High temperature processing is unnecessary in fabricating the solar cell.
机译:硅太阳能电池具有形成在硅衬底的表面上的隧道氧化硅层上的掺杂非晶硅接触。在制造太阳能电池中不需要高温处理。

著录项

  • 公开/公告号EP3104420A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SUNPOWER CORPORATION;

    申请/专利号EP20160182570

  • 发明设计人 COUSINS PETER JOHN;

    申请日2007-02-09

  • 分类号H01L31/0747;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 14:02:58

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号