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公开/公告号CN101438420B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-06-15
原文格式PDF
申请/专利权人 太阳能公司;
申请/专利号CN200780016230.5
发明设计人 P·J·卡普斯;
申请日2007-02-09
分类号H01L31/20(20060101);
代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人陈源;张天舒
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:07:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-06-15
授权
2009-07-15
实质审查的生效
2009-05-20
公开
机译: 具有掺杂的半导体异质结触点的太阳能电池
机译: 具有掺杂半导体异质结触点的太阳能电池
机译:具有异质结后触点的混合异质结硅晶片太阳能电池的三维数值分析
机译:异质结硅太阳能电池的选择性ITO / A-Si的数值分析:H异轴硅太阳能电池的触点:缺陷状态在掺杂A-Si:H层性能参数中的影响
机译:基于氧化钒异质结和激光掺杂触点的多晶硅薄膜太阳能电池
机译:具有前侧局部扩散发射极和后侧异质结合BSF点触点的混合异质结硅晶片太阳能电池的三维数值分析
机译:金属氧化物/半导体异质结作为光伏应用的载流子选择触点。
机译:异质结太阳能电池中间缓冲层的Cu掺杂对半导体ZnTe薄膜中p型载流子的显着影响和带隙的减小
机译:硅异质结太阳能电池中的低表面复合,具有来自铝箔的后激光烧结触点
机译:用于双异质结硅太阳能电池的良好钝化的a-si:H背触点