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具有掺杂的半导体异质结触点的太阳能电池

摘要

硅太阳能电池具有掺杂的非晶硅触点,所述触点形成在硅基底的表面上的隧道氧化硅层上。在制作该太阳能电池时,不需要高温处理。

著录项

  • 公开/公告号CN101438420B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 太阳能公司;

    申请/专利号CN200780016230.5

  • 发明设计人 P·J·卡普斯;

    申请日2007-02-09

  • 分类号H01L31/20(20060101);

  • 代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈源;张天舒

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-06-15

    授权

    授权

  • 2009-07-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-05-20

    公开

    公开

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