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SYSTEM AND METHOD FOR VAPOR PHASE HYDROXYL RADICAL PROCESSING OF SUBSTRATE

机译:基质气相气相羟基自由基处理的系统和方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and a method for processing a substrate.SOLUTION: A method includes a step of positioning a substrate in a processing chamber of a substrate processing system. The substrate includes a layer of a carbon-containing material on the working surface of the substrate. The method further includes the steps of receiving hydrogen peroxide vapor in a vapor processing region of the substrate processing system, processing the hydrogen peroxide vapor and producing hydroxyl radical vapor by processing the hydrogen peroxide vapor in the vapor processing region, and directing the hydroxyl radical vapor and remaining hydrogen peroxide vapor toward the working surface of the substrate, and modifying carbon-containing material chemically.SELECTED DRAWING: None
机译:解决的问题:提供一种用于处理衬底的装置和方法。解决方案:一种方法包括将衬底放置在衬底处理系统的处理室中的步骤。基底在基底的工作表面上包括一层含碳材料。该方法还包括以下步骤:在基板处理系统的蒸气处理区域中接收过氧化氢蒸气;处理过氧化氢蒸气;以及通过在蒸气处理区域中处理过氧化氢蒸气来产生羟基自由基蒸气;以及引导羟基自由基蒸气。残留的过氧化氢蒸汽流向基材的工作表面,并对含碳材料进行化学改性。

著录项

  • 公开/公告号JP2017163143A

    专利类型

  • 公开/公告日2017-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOKYO ELECTRON LTD;

    申请/专利号JP20170044944

  • 发明设计人 IAN J BROWN;WALLACE P PRINTZ;

    申请日2017-03-09

  • 分类号H01L21/304;H01L21/302;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 14:01:55

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