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MEMORY SYSTEM AND CONTROL METHOD

机译:存储器系统和控制方法

摘要

According to one embodiment, a memory system includes a memory, an error correcting circuit and a memory controller. The memory includes a memory cell which is writable in a memory mode including a first mode and a second mode. The first mode is a mode in which a value of bits is written to the memory cell. The second mode is a mode in which a value of bits smaller than that in the first mode is written to the memory cell. The memory controller controls a coding rate for the error correction on the basis of result of error correction. The controller sets the first mode as the memory mode to be used. The controller changes the memory mode to be used from the first mode to the second mode in a case where the coding rate is less than a first threshold.
机译:根据一个实施例,一种存储器系统包括存储器,纠错电路和存储器控制器。存储器包括可在包括第一模式和第二模式的存储模式下写入的存储单元。第一模式是其中将位的值写入存储单元的模式。第二模式是将比第一模式小的位的值写入存储单元的模式。存储器控制器基于纠错的结果来控制用于纠错的编码率。控制器将第一模式设置为要使用的存储模式。在编码率小于第一阈值的情况下,控制器将要使用的存储模式从第一模式改变为第二模式。

著录项

  • 公开/公告号US2017269996A1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA;

    申请/专利号US201615261008

  • 发明设计人 ATSUO SHONO;KATSUHIKO UEKI;

    申请日2016-09-09

  • 分类号G06F11/10;G06F3/06;G11C29/52;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:52:25

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