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ORGANIC TREATMENT LIQUID FOR PATTERNING RESIST FILM, METHOD OF PRODUCING ORGANIC TREATMENT LIQUID FOR PATTERNING RESIST FILM, STORAGE CONTAINER OF ORGANIC TREATMENT LIQUID FOR PATTERNING RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME, AND METHOD OF PRODUCING ELECTRONIC DEVICE

机译:用于制作抗蚀膜的有机处理液,用于制作抗蚀膜的有机处理液的方法,用于制作抗蚀膜的有机处理液的储存容器,使用其的图案形成方法以及电子制造方法

摘要

An organic treatment liquid for patterning a resist film, in which a metal element concentration of each of Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni, and Zn is 3 ppm or less and which can reduce generation of particles, in a negative tone pattern forming method for forming a miniaturized (for example, 30 nm node or less) pattern by particularly using an organic developer, a method of producing the organic treatment liquid for patterning a resist film, a storage container of the organic treatment liquid for patterning a resist film, a pattern forming method using the same, and a method of producing an electronic device can be provided.
机译:一种用于对抗蚀剂膜进行构图的有机处理液,其中Na,K,Ca,Fe,Cu,Mg,Mn,Li,Al,Cr,Ni和Zn各自的金属元素浓度为3 ppm以下,并且在通过特别地使用有机显影剂来形成小型化(例如30nm节点以下)的图案的负性图案形成方法中,可以减少颗粒的产生,制造用于对抗蚀剂膜进行图案化的有机处理液的方法,可以提供用于对抗蚀剂膜进行构图的有机处理液的储存容器,使用其的图案形成方法以及电子设备的制造方法。

著录项

  • 公开/公告号US2017184973A1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FUJIFILM CORPORATION;

    申请/专利号US201715458432

  • 发明设计人 TSUKASA YAMANAKA;

    申请日2017-03-14

  • 分类号G03F7/32;G03F7/004;G03F7/09;G03F7/16;B65D85;G03F7/38;H01L21/027;C07C69/14;C07C67/54;B65D25/34;G03F7/40;G03F7/20;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:48:56

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