首页> 外国专利> Voltage booster circuit, semiconductor device, and voltage booster circuit control method

Voltage booster circuit, semiconductor device, and voltage booster circuit control method

机译:升压电路,半导体装置以及升压电路的控制方法

摘要

A voltage booster circuit includes a reference voltage generation circuit that generates a first potential and supplies the first potential to a first potential line; a booster section that supplies a second potential to a second potential line, the second potential being boosted from the first potential; a booster control section, connected to the second potential line, that controls the booster section in accordance with the second potential; a switch connected to the first potential line and the second potential line; and a control circuit that controls the switch in accordance with a potential difference between the first potential and the second potential.
机译:升压电路包括参考电压产生电路,该参考电压产生电路产生第一电势并将该第一电势提供给第一电势线。升压部,其将第二电位提供给第二电位线,所述第二电位从所述第一电位升压;与第二电位线连接的升压器控制部,其根据第二电位来控制升压器部。开关,其连接到第一电位线和第二电位线;控制电路根据第一电位和第二电位之间的电位差控制开关。

著录项

  • 公开/公告号US9703304B2

    专利类型

  • 公开/公告日2017-07-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LAPIS SEMICONDUCTOR CO. LTD.;

    申请/专利号US201514665347

  • 发明设计人 YOSUKE IWASA;

    申请日2015-03-23

  • 分类号G09G5/00;G05F1/56;G09G3/36;H02M1/36;G09G3/20;H02M1/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:47:01

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号