首页> 外国专利> FFS mode array substrate with TFT channel layer and common electrode layer patterned from a single semiconductor layer and manufacturing method thereof

FFS mode array substrate with TFT channel layer and common electrode layer patterned from a single semiconductor layer and manufacturing method thereof

机译:具有由单个半导体层构图的TFT沟道层和公共电极层的FFS模式阵列基板及其制造方法

摘要

An FFS mode array substrate and a manufacturing method thereof are provided. The FFS mode array substrate has: a glass substrate provided with a gate electrode thereon; a first insulation layer; a semiconductor layer having a channel region and a common electrode region to form a channel semiconductor layer on the channel region of the semiconductor layer, and form a common electrode layer on the common electrode region of the semiconductor layer by doping semiconductor thereon; and a second insulation layer provided with a first through hole and a second through hole therein.
机译:提供了一种ffs模式阵列基板及其制造方法。 FFS模式阵列基板具有:在其上设置有栅电极的玻璃基板;以及第一绝缘层;具有沟道区和公共电极区的半导体层,以在半导体层的沟道区上形成沟道半导体层,并通过在其上掺杂半导体而在半导体层的公共电极区上形成公共电极层;第二绝缘层在其中具有第一通孔和第二通孔。

著录项

  • 公开/公告号US9798202B2

    专利类型

  • 公开/公告日2017-10-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利号US201615116229

  • 发明设计人 SHIMIN GE;

    申请日2016-04-08

  • 分类号H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1333;H01L29/786;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:46:12

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号