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Method of forming a metal chalcogenide material and methods of forming memory cells including same

机译:形成金属硫属化物材料的方法以及包括该金属硫属化物材料的存储单元的方法

摘要

A method of forming a metal chalcogenide material. The method comprises exposing a metal to a solution comprising a chalcogenide element source compound and an acid. Methods of forming memory cells including the metal chalcogenide material are also disclosed.
机译:一种形成金属硫属化物材料的方法。该方法包括将金属暴露于包含硫族化物元素源化合物和酸的溶液中。还公开了形成包括金属硫属化物材料的存储单元的方法。

著录项

  • 公开/公告号US9573809B2

    专利类型

  • 公开/公告日2017-02-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHET E. CARTER;

    申请/专利号US201213435216

  • 发明设计人 CHET E. CARTER;

    申请日2012-03-30

  • 分类号H01L45/00;C01B17/20;C01B19/04;H01L21/02;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:44:10

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