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Monolithic integration of CMOS and non-silicon devices

机译:CMOS和非硅器件的单片集成

摘要

A method includes attaching a partially processed CMOS wafer to a second wafer to produce a combined wafer. The second wafer comprises a first region including a material different from silicon. The method also includes forming devices in the first region or in a second region of the combined wafer having a material different from silicon.
机译:一种方法包括将经部分处理的CMOS晶片附接到第二晶片以产生组合晶片。第二晶片包括第一区域,该第一区域包括不同于硅的材料。该方法还包括在组合晶片的第一区域或第二区域中形成具有不同于硅的材料的器件。

著录项

  • 公开/公告号US9530763B2

    专利类型

  • 公开/公告日2016-12-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY;

    申请/专利号US201314390560

  • 发明设计人 EUGENE A. FITZGERALD;

    申请日2013-04-04

  • 分类号H01L25;H01L21/762;H01L21/8258;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:42:09

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