首页> 外国专利> СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ CsSrCl3:Eu2+ ВИСОКОЇ ЧИСТОТИ

СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ CsSrCl3:Eu2+ ВИСОКОЇ ЧИСТОТИ

机译:获得CsSrCl3:Eu2 +高纯单晶的方法

摘要

Спосіб вирощування активованих монокристалів CsSrCl:Euвключає синтез вихідної сировини, плавлення та очищення отриманого розплаву парою чотирихлористого вуглецю в потоці аргону, вакуумування та вирощування монокристалу. Під час синтезу вихідну сировину активують.
机译:生长活化的CsSrCl:Eu单晶的方法包括合成原料,在氩气流中用四氯化碳蒸气熔融和纯化所得的熔体,抽真空并生长单晶。在合成过程中,原料被活化。

著录项

  • 公开/公告号UA114453U

    专利类型

  • 公开/公告日2017-03-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号UA20160009241U

  • 发明设计人

    申请日2016-09-05

  • 分类号C09K11/77;C30B9;

  • 国家 UA

  • 入库时间 2022-08-21 13:36:28

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号