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METHOD, SYSTEM AND DEVICE FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICE OPERATION USING QUANTUM MECHANICAL TRANSITIONS

机译:使用量子力学转变的非易失性存储器操作方法,系统和装置

摘要

Disclosed are methods, systems and devices for operation of non-volatile memory devices. A non-volatile memory device may be placed in any one of multiple memory states in a write operation by controlling a current and a voltage applied to terminals of the non-volatile memory device. For example, a write operation may apply a programming signal across terminals of non-volatile memory device having a particular current and a particular voltage for placing the non-volatile memory device in a particular memory state.
机译:公开了用于非易失性存储设备的操作的方法,系统和设备。通过控制施加到非易失性存储装置的端子的电流和电压,可以在写操作中将非易失性存储装置置于多个存储状态中的任何一个中。例如,写操作可以在具有特定电流和特定电压的非易失性存储装置的端子之间施加编程信号,以将非易失性存储装置置于特定的存储状态。

著录项

  • 公开/公告号WO2017025763A1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-02-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ARM LTD;

    申请/专利号WO2016GB52521

  • 申请日2016-08-12

  • 分类号G11C13;G11C14;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 13:32:13

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