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CMOS MEMS INTEGRATED CMOS AND MEMS SENSOR FABRICATION METHOD AND STRUCTURE

机译:CMOS MEMS集成CMOS和MEMS传感器的制造方法和结构

摘要

A method of providing a CMOS-MEMS structure is disclosed. The method includes patterning a first upper metal on a MEMS operating substrate and a second upper metal on a CMOS substrate. Each of the MEMS operating substrate and the CMOS substrate includes an oxide layer thereon. The method includes depositing a respective oxide layer on the MEMS operating substrate and the base substrate using a first bonding step of bonding the first patterned upper metal of the MEMS actuator substrate to the second patterned upper metal of the base substrate And etching. Finally, the method includes using a second bonding step to etch the active layer into the MEMS actuation substrate and to bond the MEMS actuation substrate to the MEMS handle substrate.
机译:公开了一种提供CMOS-MEMS结构的方法。该方法包括在MEMS操作基板上图案化第一上部金属并且在CMOS基板上图案化第二上部金属。 MEMS操作衬底和CMOS衬底中的每一个都在其上包括氧化物层。该方法包括使用第一结合步骤在MEMS操作衬底和基础衬底上沉积相应的氧化物层,该第一结合步骤将MEMS致动器衬底的第一图案化的上部金属结合到基础衬底的第二图案化的上部金属并进行蚀刻。最后,该方法包括使用第二键合步骤将有源层蚀刻到MEMS致动基板中并将MEMS致动基板接合到MEMS处理基板。

著录项

  • 公开/公告号KR20170021846A

    专利类型

  • 公开/公告日2017-02-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 인벤센스 인크.;

    申请/专利号KR20177001572

  • 发明设计人 스미스 피터;

    申请日2015-07-06

  • 分类号B81B7/02;B81C1/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 13:28:05

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