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SRAM -SRAM BIT-LINE AND WRITE ASSIST APPARATUS AND METHOD FOR LOWERING DYNAMIC POWER AND PEAK CURRENT AND A DUAL INPUT LEVEL-SHIFTER

机译:降低动态功率和峰值电流以及双输入电平转换器的sram-sram位线和写入辅助装置及方法

摘要

An apparatus comprising a plurality of memory arrays coupled together in a group, local write auxiliary logic units, and read / write local column multiplexers are described, wherein the local write auxiliary logic unit in the group and the read / write local column multiplexer occupy Is smaller than the area when the global write auxiliary logic unit and the read / write global thermal multiplexer are used. A dual input level-shifter with integrated latches is described. A write auxiliary pulse generator operating on a first power supply; One or more pullup devices coupled to the write assisting pulse generator and operating on a second power supply different than the first power supply; And an output node that provides power to the memory cell.
机译:描述了一种装置,该装置包括以组的形式耦合在一起的多个存储器阵列,局部写辅助逻辑单元和读/写局部列多路复用器,其中该组中的局部写辅助逻辑单元和读/写局部列多路复用器占据1s。小于使用全局写辅助逻辑单元和读/写全局热多路复用器时的面积。描述了具有集成锁存器的双输入电平转换器。在第一电源上工作的写辅助脉冲发生器;一个或多个上拉器件,其耦合到写辅助脉冲发生器,并在不同于第一电源的第二电源上工作;一个输出节点为存储单元供电。

著录项

  • 公开/公告号KR101746309B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 인텔 코포레이션;

    申请/专利号KR20157012437

  • 申请日2012-12-27

  • 分类号G11C11/419;G06F17/50;G11C11/4074;G11C11/4096;G11C5/06;G11C5/14;G11C7/12;G11C7/22;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 13:25:24

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