首页> 外国专利> DC-DC HYBRID CONVERTER WITH GALLIUM NITRIDE TRANSISTOR AND SILICON TRANSISTOR

DC-DC HYBRID CONVERTER WITH GALLIUM NITRIDE TRANSISTOR AND SILICON TRANSISTOR

机译:带有氮化镓晶体管和硅晶体管的DC-DC混合转换器

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hybrid combination of GaN transistor and Si transistor that are connected in a unique manner in a synchronous DC-DC power converter.SOLUTION: The GaN transistor acts as an active switch and the Si transistor acts as a synchronous diode to reduce the power loss in a DC-DC power converter.SELECTED DRAWING: Figure 7
机译:解决的问题:要提供以独特方式在同步DC-DC电源转换器中连接的GaN晶体管和Si晶体管的混合组合解决方案:GaN晶体管充当有源开关,而Si晶体管充当同步开关二极管以减少DC-DC电源转换器中的功率损耗选定的图纸:图7

著录项

  • 公开/公告号JP2018064442A

    专利类型

  • 公开/公告日2018-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE;

    申请/专利号JP20170151431

  • 发明设计人 MOHAMMAD HASSAN HEDAYATI;VINOD JOHN;

    申请日2017-08-04

  • 分类号H02M3/155;H02M7/21;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 13:12:21

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号