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Cleaning composition and method for cleaning semiconductor wafer after CMP

机译:CMP后的清洗组合物及清洗半导体晶片的方法

摘要

The present invention provides a composition for cleaning contaminants from semiconductor wafers after chemical mechanical polishing. The cleaning composition comprises one or more quaternary ammonium hydroxides, one or more organic amines, one or more metal inhibitors, and water. The present invention also provides a method of using the cleaning composition.(FIG.
机译:本发明提供了用于在化学机械抛光之后从半导体晶片上清除污染物的组合物。清洁组合物包含一种或多种氢氧化季铵,一种或多种有机胺,一种或多种金属抑制剂和水。本发明还提供了使用清洁组合物的方法。

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