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Metal oxide thin film, method for depositing metal oxide thin film, and apparatus comprising metal oxide thin film

机译:金属氧化物薄膜,沉积金属氧化物薄膜的方法和包括金属氧化物薄膜的设备

摘要

The present invention relates to a metal oxide thin film containing β-MoO 3 containing at least one doping element selected from the group consisting of Re, Mn and Ru. The present invention further relates to a method for producing such a metal oxide thin film by sputtering, and a metal oxide comprising β-MoO 3 containing at least one doping element selected from the group of Re, Mn and Ru. The present invention relates to a thin film device containing a thin film. [Selection] Figure 1
机译:本发明涉及含有β-MoO3的金属氧化物薄膜,该β-MoO3含有选自Re,Mn和Ru中的至少一种掺杂元素。本发明还涉及通过溅射制备这种金属氧化物薄膜的方法,以及包含β-MoO3的金属氧化物,所述β-MoO3含有选自Re,Mn和Ru中的至少一种掺杂元素。包含薄膜的薄膜装置技术领域本发明涉及一种包含薄膜的薄膜装置。 [选择]图1

著录项

  • 公开/公告号JP2018502215A

    专利类型

  • 公开/公告日2018-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 プランゼー エスエー;

    申请/专利号JP20170523838

  • 发明设计人 ヒトスギ、タロウ;

    申请日2015-11-05

  • 分类号C23C14/08;C04B35/495;H01B1/10;H01B5/14;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 13:09:59

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