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Metal oxide thin film, method for depositing metal oxide thin film and device comprising metal oxide thin film

机译：金属氧化物薄膜，沉积金属氧化物薄膜的方法和包括该金属氧化物薄膜的装置

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A metal oxide thin film formed of β-MoO₃includes at least one doping element of the group Re, Mn, and Ru. Further, there is described a method of producing such a metal oxide thin film via sputtering and a thin film device with a metal oxide thin film of β-MoO₃that includes at least one doping element selected from the group Re, Mn, and Ru.

机译：由β-MoO_{3 形成的金属氧化物薄膜包括Re，Mn和Ru族中的至少一种掺杂元素。此外，描述了一种通过溅射生产这种金属氧化物薄膜的方法以及具有β-MoO_{3 的金属氧化物薄膜的薄膜装置，该薄膜氧化物包括选自以下的至少一种掺杂元素：组Re，Mn和Ru。}}

著录项

公开/公告号US10366803B2

专利类型
公开/公告日2019-07-30

原文格式PDF
申请/专利权人 PLANSEE SE;
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申请/专利号US201515521907
发明设计人 TARO HITOSUGI;
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申请日2015-11-05
分类号H01B1/08;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58;E06B9/24;G02F1/15;G02F1/1333;C04B35/495;C04B35/622;C09K9;G02F1/1523;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:15:00

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