机译:分别包括具有控制栅极和电荷存储结构的可编程电荷存储晶体管的垂直存储单元串以及形成单独包括具有控制栅极和电荷存储结构的可编程电荷存储晶体管的垂直存储单元串的方法
公开/公告号US10090318B2
专利类型
公开/公告日2018-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;
申请/专利号US201615229490
发明设计人 HONGBIN ZHU;CHARLES H. DENNISON;GORDON A. HALLER;MERRI L. CARLSON;JOHN D. HOPKINS;JIA HUI NG;JIE SUN;
申请日2016-08-05
分类号H01L27/11556;H01L27/11582;H01L21/28;H01L21/311;H01L21/02;H01L29/788;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:04:43