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INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT DESIGN METHODOLOGY WITH PROCESS VARIATION BANDS

机译:具有过程变化带的集成电路布局设计方法

摘要

A system for analyzing IC layouts and designs by calculating variations of a number of objects to be created on a semiconductor wafer as a result of different process conditions. The variations are analyzed to determine individual feature failures or to rank layout designs by their susceptibility to process variations. In one embodiment, the variations are represented by PV-bands having an inner edge that defines the smallest area in which an object will always print and an outer edge that defines the largest area in which an object will print under some process conditions.
机译:一种用于通过计算由于不同工艺条件而在半导体晶片上创建的多个对象的变化来分析IC布局和设计的系统。分析这些变化以确定单个功能故障或通过其对过程变化的敏感性对布局设计进行排名。在一个实施例中,这些变化由PV带表示,该PV带具有在某些处理条件下限定了将始终打印物体的最小区域的内边缘和限定了在某些过程条件下物体将打印的最大区域的外边缘。

著录项

  • 公开/公告号US2018260512A1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-09-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JUAN ANDRES TORRES ROBLES;

    申请/专利号US201815978044

  • 发明设计人 JUAN ANDRES TORRES ROBLES;

    申请日2018-05-11

  • 分类号G06F17/50;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:02:07

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