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NO GRAIN BOUNDARY CRYSTAL Cu2S THIN FILMS FOR SOLAR ENERGY CONVERSION

机译:太阳能转换的无晶界Cu2S薄膜

摘要

The present invention comprises thin film Cu2S with ultra-large grains or in the best case no grain boundaries (a single crystal thin film). Based on our recent successes in atomic layer epitaxy of other materials we sought and found a suitable substrate (namely GaAs) that induces what appear to be Cu2S single crystal thin films.
机译:本发明包括具有超大晶粒或在最佳情况下没有晶界的薄膜Cu 2 S(单晶薄膜)。基于我们最近在其他材料的原子层外延方面的成功,我们寻求并发现了一种合适的衬底(即GaAs),该衬底可诱导出看起来像Cu 2 S单晶薄膜。

著录项

  • 公开/公告号US2018204972A1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-07-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UCHICAGO ARGONNE LLC;

    申请/专利号US201815862561

  • 发明设计人 ALEX B. MARTINSON;SHANNON RIHA;

    申请日2018-01-04

  • 分类号H01L31/18;H01L31/0445;H01L31/0296;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:59:54

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